В корзине пусто!
Категории
Параметры
Память для ПК и ноутбуков
2GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400 (PSD22G8002S)
Основные характеристики
Буферизация: Unbuffered
Количество планок в комплекте: 1
Назначение: для ноутбуков
Объем, ГБ: 2
Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет
Рабочее напряжение, В: 1,8
Радиаторы: нет
Серия: SODIMM
Стандарт: PC2-6400
Тип: DDR2
Формфактор памяти: 200-pin SO-DIMM
Штатные тайминги: CL5
Эффективная частота, МГц: 800
..
43.17 BYN
2GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11/2G)
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
Технические характеристики
Профили AMP: Нет
Основные
Набор: 1 модуль
Объем: 2 ГБ
Тип: DDR3 DIMM
ECC: Нет
Частота: 1600 МГц
PC-индекс: PC3-12800
CAS Latency: 11T
Напряжение питания: 1.5 В
Конструкция
Низкопрофильный модуль: Нет
..
45.57 BYN
2GB DDR3 PC3-12800 [TED32G1600C1101]
DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin, 1x2 Гб, 1.5 В, CL 11
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Тактовая частота: 1600 МГц
Тип памяти: DDR3
Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Дополнительно
Напряжение питания: 1.5 В
Тайминги
Activate to Precharge Delay (tRAS): 28
CAS Latency (CL): 11
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Row Precharge Delay (tRP): 11
..
45.57 BYN
GR1600S3V64L11N/2G
DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x2 Гб, 1.35 В, CL 11
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Тактовая частота: 1600 МГц
Тип памяти: DDR3L
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
Дополнительно
Напряжение питания: 1.35 В
Тайминги
CAS Latency (CL): 11
..
47.97 BYN
ValueRAM 2GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (KVR16LS11S6/2)
DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x2 Гб, 1.35 В, CL 11
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Тактовая частота: 1600 МГц
Тип памяти: DDR3L
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
Дополнительно
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
Напряжение питания: 1.35 В
Тайминги
CAS Latency (CL): 11
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Row Precharge Delay (tRP): 11
..
47.97 BYN
2GB DDR3 SO-DIMM PC3-10600 128x8 (GR1333S364L9/2G)
Основные характеристики
Буферизация: Unbuffered
Количество планок в комплекте: 1
Назначение: для портативных компьютеров
Объем, ГБ: 2
Поддержка XMP: нет
Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет
Рабочее напряжение, В: 1,5
Радиаторы: нет
Серия: SODIMM
Стандарт: PC3-10600
Тип: DDR3 SDRAM
Товар на сайте производителя: http://www.goodram.com/pub/File/Datasheet/DDR3%20SO-DIMM/GR1066S364L7-1G_64x16.pdf
Формфактор памяти: 204-pin SO-DIMM
Штатные тайминги: CL9
Эффективная частота, МГц: 1333
..
50.37 BYN
ValueRAM KVR800D2N6/2G
DIMM DDR2-800 2048MB PC-6400 Kingston KVR800D2N6/2G (800 МГц, 6400 Мб/с, CL6, 1.8 В)
Основные характеристики
Буферизация: Unbuffered
Количество планок в комплекте: 1
Назначение: для настольных компьютеров
Объем, ГБ: 2
Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет
Рабочее напряжение, В: 1,8
Радиаторы: нет
Серия: ValueRAM
Стандарт: PC2-6400
Тип: DDR2 SDRAM
Формфактор памяти: 240-pin DIMM
Штатные тайминги: CL6
Эффективная частота, МГц: 800
..
74.35 BYN
Elite 4GB DDR3 PC3-12800 (TED34G1600C1101)
DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 11
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Тактовая частота: 1600 МГц
Тип памяти: DDR3
Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Дополнительно
Напряжение питания: 1.5 В
Тайминги
Activate to Precharge Delay (tRAS): 28
CAS Latency (CL): 11
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Row Precharge Delay (tRP): 11
..
76.75 BYN
Memory for Ultrabook 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (PSD34G1600L81S)
SODIMM DDR3-1600 4GB PC-12800 Patriot PSD34G1600L81S (1.35V CAS 11)
Основные характеристики
Гарантия, мес: 24
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Тактовая частота: 1600 МГц
Тип памяти: DDR3L
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
Дополнительно
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.35 В
Тайминги
CAS Latency (CL): 11
..
76.75 BYN
4GB DDR3 SO-DIMM PC3-10600 [PSD34G133381S]
DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 9
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Тактовая частота: 1333 МГц
Тип памяти: DDR3
Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Дополнительно
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.5 В
Тайминги
CAS Latency (CL): 9
..
79.15 BYN
Signature 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-10600 (PSD34G13332S)
DDR3L 1333 (PC 10600) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.35 В, CL 9
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Тактовая частота: 1333 МГц
Тип памяти: DDR3L
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
Дополнительно
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.35 В
Тайминги
CAS Latency (CL): 9
..
79.15 BYN
4GB DDR3 SO-DIMM PC3-10600 (GR1333S364L9S/4G)
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
Технические характеристики
Профили AMP: Нет
Основные
Набор: 1 модуль
Объем: 4 ГБ
Тип: DDR3 SO-DIMM
ECC: Нет
Частота: 1333 МГц
PC-индекс: PC3-10600
CAS Latency: 9T
Тайминги: 9-9-9
Напряжение питания: 1.5 В
Конструкция
Низкопрофильный модуль: Нет
..
79.15 BYN
Memory for Ultrabook 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (PSD34G1600L2S)
DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.35 В, CL 11
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Тактовая частота: 1600 МГц
Тип памяти: DDR3L
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
Дополнительно
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.35 В
Тайминги
CAS Latency (CL): 11
..
79.15 BYN
GR2133S464L15S/4G
DDR4 2133 (PC 17000) SODIMM 260 pin, 1x4 Гб, 1.2 В, CL 15
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 17000 Мб/с
Тактовая частота: 2133 МГц
Тип памяти: DDR4
Форм-фактор: SODIMM 260-контактный
Дополнительно
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 8, двусторонняя упаковка
Напряжение питания: 1.2 В
Тайминги
Activate to Precharge Delay (tRAS): 36
CAS Latency (CL): 15
RAS to CAS Delay (tRCD): 15
Row Precharge Delay (tRP): 15
..
83.95 BYN
ES.04G2T.KFH
SODIMM DDR4-2400 4GB PC-19200 Apacer ES.04G2T.KFH ( 1.2В)
Основные характеристики
..
83.95 BYN
