Память для ПК и ноутбуков

DIMM DDR2-800 2048MB PC-6400 Goodram GR800D264L6/2G

Основные характеристики

Буферизация: Unbuffered

Количество планок в комплекте: 1

Назначение: для настольных компьютеров

Объем, ГБ: 2

Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет

Рабочее напряжение, В: 1,8

Радиаторы: нет

Серия: Value

Стандарт: PC2-6400

Тип: DDR2 SDRAM

Товар на сайте производителя: http://www.goodram.com/pub/File/Datasheet/2GB%20DIMM/GR800D264L6-2G_128x8(1).pdf

Формфактор памяти: 240-pin DIMM

Штатные тайминги: CL6

Эффективная частота, МГц: 800

DIMM DDR2-800 2048MB PC-6400 Kingston KVR800D2N6/2G (800 МГц, 6400 Мб/с, CL6, 1.8 В)

Основные характеристики

Буферизация: Unbuffered

Количество планок в комплекте: 1

Назначение: для настольных компьютеров

Объем, ГБ: 2

Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет

Рабочее напряжение, В: 1,8

Радиаторы: нет

Серия: ValueRAM

Стандарт: PC2-6400

Тип: DDR2 SDRAM

Формфактор памяти: 240-pin DIMM

Штатные тайминги: CL6

Эффективная частота, МГц: 800

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

Технические характеристики

Профили AMP: Нет

Основные

Набор: 1 модуль

Объем: 4 ГБ

Тип: DDR3 SO-DIMM

ECC: Нет

Частота: 1600 МГц

PC-индекс: PC3-12800

CAS Latency: 11T

Напряжение питания: 1.35 В

Конструкция

Низкопрофильный модуль: Нет

DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 11

Общие характеристики

Буферизованная (Registered): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Объем: 1 модуль 4 Гб

Поддержка ECC: нет

Пропускная способность: 12800 Мб/с

Тактовая частота: 1600 МГц

Тип памяти: DDR3

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Дополнительно

Напряжение питания: 1.5 В

Тайминги

CAS Latency (CL): 11

модуль памяти DDR3 DIMM, объем 4 Гб, частота 1600 МГц, напряжение питания 1.35/1.5 В

Основные характеристики

Буферизация: Unbuffered

Количество планок в комплекте: 1

Назначение: для настольных компьютеров

Объем, ГБ: 4

Поддержка XMP: нет

Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет

Рабочее напряжение, В: 1,35

Радиаторы: нет

Стандарт: PC3-12800

Тип: DDR3

Товар на сайте производителя: http://www.crucial.com/store/partspecs.aspx?imodule=CT51264BD160B

Формфактор памяти: 240-pin DIMM

Штатные тайминги: CL11

Эффективная частота, МГц: 1600

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В

Технические характеристики

Профили AMP: Нет

Основные

Набор: 1 модуль

Объем: 4 ГБ

Тип: DDR3 DIMM

ECC: Нет

Частота: 1600 МГц

PC-индекс: PC3-12800

CAS Latency: 10T

Тайминги: 10-10-10

Напряжение питания: 1.5 В

Конструкция

Низкопрофильный модуль: Нет

для ноутбука и настольного компьютера, 2280, M.2, PCI-E, SSD (твердотельный), 500 Гб

Дополнительно

Вес: 8 г

Размеры (ШхВхД): 22x2.3x80 мм

Шифрование данных: есть

Общие характеристики

Назначение: для ноутбука и настольного компьютера

Поддержка секторов размером 4 Кб: есть

Тип: SSD

Форм-фактор: 2280

Характеристики накопителя

Объем: 500 Гб

Скорость записи/Скорость чтения: 1800/3200 Мб/с

Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): 330000 IOPS

Интерфейс

Поддержка TRIM: есть

Поддержка стандарта NVMe: есть

Подключение: PCI-E 3.0 x4

Разъем M.2: да

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В

Технические характеристики

Профили AMP: Нет

Основные

Набор: 1 модуль

Объем: 4 ГБ

Тип: DDR3 DIMM

ECC: Нет

Частота: 1600 МГц

PC-индекс: PC3-12800

CAS Latency: 10T

Тайминги: 10-10-10

Напряжение питания: 1.5 В

Конструкция

Низкопрофильный модуль: Нет

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 10T, напряжение 1.35 В

Технические характеристики

Профили AMP: Нет

Основные

Набор: 1 модуль

Объем: 4 ГБ

Тип: DDR3 DIMM

ECC: Нет

Частота: 1600 МГц

PC-индекс: PC3-12800

CAS Latency: 10T

Напряжение питания: 1.35 В

Конструкция

Низкопрофильный модуль: Нет

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В

Технические характеристики

Профили AMP: Нет

Основные

Набор: 1 модуль

Объем: 4 ГБ

Тип: DDR4 DIMM

ECC: Нет

Частота: 2133 МГц

PC-индекс: PC4-17000

CAS Latency: 15T

Напряжение питания: 1.2 В

Конструкция

Низкопрофильный модуль: Нет

DDR4 2133 (PC 17000) SODIMM 260 pin, 1x4 Гб, 1.2 В, CL 15

Общие характеристики

Буферизованная (Registered): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Объем: 1 модуль 4 Гб

Поддержка ECC: нет

Пропускная способность: 17000 Мб/с

Тактовая частота: 2133 МГц

Тип памяти: DDR4

Форм-фактор: SODIMM 260-контактный

Дополнительно

Количество ранков: 1

Количество чипов каждого модуля: 8, двусторонняя упаковка

Напряжение питания: 1.2 В

Тайминги

Activate to Precharge Delay (tRAS): 36

CAS Latency (CL): 15

RAS to CAS Delay (tRCD): 15

Row Precharge Delay (tRP): 15

DDR4 2400 (PC 19200) SODIMM 260 pin, 1x4 Гб, 1.2 В, CL 17

Общие характеристики

Буферизованная (Registered): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Объем: 1 модуль 4 Гб

Поддержка ECC: нет

Пропускная способность: 19200 Мб/с

Тактовая частота: 2400 МГц

Тип памяти: DDR4

Форм-фактор: SODIMM 260-контактный

Дополнительно

Напряжение питания: 1.2 В

Тайминги

CAS Latency (CL): 17