В корзине пусто!
Категории
- Комплектующие
- Компьютерная периферия
- Компьютеры, серверы
- Мониторы, Проекторы, ТВ
- Мультимедия
- Ноутбуки, планшеты, книги
- Принтеры, МФУ, Сканеры
- Программное Обеспечение
- Расходные материалы
-
Сети, Интернет
- Беспроводное оборудование
- Видеонаблюдение
- Межсетевые экраны (Firewall)
- Монтажные шкафы и стойки
- Сетевые карты
- Сетевые накопители (NAS)
- Точки доступа
- Коммутаторы
- Маршрутизаторы
- Wi-Fi роутеры
- Кабели витая пара, патч-корды
- Инструмент для прокладки сети
- KVM-переключатели
- Прочее коммутационное оборудование
- Товары Xiaomi
- Электропитание
Параметры
Память для ПК и ноутбуков
KVR16N11S6/2
DIMM DDR3-1600 2048Mb PC-12800 Kingston KVR16N11S6/2BK (1600 МГц, 12800 Мб/с, 11-11-11, 1.5 В)
Основные характеристики
Буферизация: Unbuffered
Количество планок в комплекте: 1
Назначение: для настольных компьютеров
Объем, ГБ: 2
Поддержка XMP: нет
Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет
Рабочее напряжение, В: 1,5
Радиаторы: нет
Стандарт: PC3-12800
Тип: DDR3 SDRAM
Формфактор памяти: 240-pin DIMM
Штатные тайминги: CL11
Эффективная частота, МГц: 1600
..
44.95 BYN
F4-2400C17S-4GNT
..
57.68 BYN
PSD34G1600L2S
DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.35 В, CL 11
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Тактовая частота: 1600 МГц
Тип памяти: DDR3L
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
Дополнительно
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.35 В
Тайминги
CAS Latency (CL): 11
..
57.68 BYN
TED34G1600C1101
DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 11
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Тактовая частота: 1600 МГц
Тип памяти: DDR3
Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Дополнительно
Напряжение питания: 1.5 В
Тайминги
Activate to Precharge Delay (tRAS): 28
CAS Latency (CL): 11
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Row Precharge Delay (tRP): 11
..
58.80 BYN
F4-2400C17S-4GIS
..
59.46 BYN
F3-1600C11S-4GSL
..
59.46 BYN
F3-1600C11S-4GRSL
..
60.88 BYN
CT4G4DFS824A
DDR4 2400 (PC 19200) DIMM 288 pin, 1x4 Гб, 1.2 В, CL 17
Основные характеристики
Гарантия, мес: 99999
Цвет: Красный
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Тактовая частота: 2400 МГц
Тип памяти: DDR4
Форм-фактор: DIMM 288-контактный
Поддержка XMP: нет
Дополнительно
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.2 В
Тайминги
CAS Latency (CL): 17
..
61.24 BYN
F3-1600C11S-4GIS
..
61.24 BYN
CT4G4DFS8266
..
61.24 BYN
F3-1600C9S-4GRSL
..
61.24 BYN
CT4G4SFS824A
..
61.24 BYN
BLS4G4D240FSB
модуль памяти DDR4 DIMM, объем 4 ГБ, частота 2400 МГц, тайминги 16-16-16, напряжение питания 1.2В
Основные характеристики
Гарантия, мес: 24
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Тактовая частота: 2400 МГц
Тип памяти: DDR4
Форм-фактор: DIMM 288-контактный
Дополнительно
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: есть
Тайминги
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 16
Row Precharge Delay (tRP): 16
..
63.02 BYN
BLS4G4D240FSE
DDR4 2400 (PC 19200) DIMM 288 pin, 1x4 Гб, 1.2 В, CL 16
Основные характеристики
Гарантия, мес: 99999
Цвет: Красный
Общие характеристики
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Тактовая частота: 2400 МГц
Тип памяти: DDR4
Форм-фактор: DIMM 288-контактный
Дополнительно
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: есть
Тайминги
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 16
Row Precharge Delay (tRP): 16
..
63.02 BYN
KVR24N17S6/4
..
63.02 BYN
